מספר מוצר של יצרן:
IPU060N03L G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPU060N03L G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
מלאי:
12801520
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPU060N03L G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2400 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
56W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO251-3
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
IPU060N
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000260749
IPU060N03LGIN
IPU060N03LGXK
חבילה סטנדרטית
1,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA80R450P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3F
IPP06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO220-3
IPP06CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
